PECVD SiO2-SiNX叠层钝化膜的研究

• 作者: 季静佳 李果华 王振交 韩培育
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 太阳电池 PECVD 氮化硅 二氧化硅 减反射 钝化
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 1549-1552
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2580字
• 语种: 中文

摘要

首先使用正交设计法对SiNX和SiO2膜的PECVD(等离子体增强化学气相沉积)特性进行了研究,分别得到了两种膜的最佳沉积条件.然后使用PECVD在P型多晶硅片发射极上沉积了SiO2-SiNX叠层钝化膜,并与SiNX单层钝化膜进行比较.通过测试硅片在退火前后少子寿命的变化,考察了两种钝化膜对太阳电池发射极的钝化效果,结果表明SiO2-SiNX叠层膜具有更好的钝化效果.利用反射率测试仪测试了两种膜的反射率,其反射率曲线基本相同.最后,测量了采用该叠层膜制作的太阳电池的量子效率和电性能,其短路电流和开路电压均比采用SiNX单层膜的电池要好,转换效率提高了0.25%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩培育	江南大学理学院	2	11	2.0	2.0
5	王振交		4	20	2.0	4.0