应用于太阳电池的InGaAs渐变缓冲层生长技术研究

• 作者: 刘如彬 孙强 孙彦铮 王帅
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 晶格失配 太阳电池 渐变缓冲层 TEM RSM
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 1041-1043
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2406字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2010.10.017

摘要

采用低压金属有机化学气相沉积设备(LP-MOCVD)进行了最终组分为In0 17Ga0.83As的渐变缓冲层结构的生长实验,获得了可以应用于晶格失配太阳电池性能优良的渐变缓冲层材料,并采用透射电镜(TEM)和X射线双晶衍射(XR0)进行了结构的相关性质研究.TEM截面图像表明,穿透位错被很好地限制在渐变层的初始阶段,渐变层成功阻止了穿透位错向结构表层的传播;同时,在TEM的平面模式中,表面几乎观察不到穿透位错的存在,表明其表面穿透位错密度小于107 cm-2量级.XRD的倒空间衍射(RSM)测试表明,缓冲层和其上的有源层接近完全弛豫,弛豫度分别为93%和96%,有源层存在微弱的压应变,表面残留应变小于0.04%.后续采用渐变缓冲层的晶格失配太阳电池器件正在制作中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘如彬	中国电子科技集团公司第十八研究所	6	22	3.0	4.0
5	王帅	中国电子科技集团公司第十八研究所	17	37	3.0	5.0
9	孙强	中国电子科技集团公司第十八研究所	32	139	7.0	10.0
13	孙彦铮	中国电子科技集团公司第十八研究所	12	53	5.0	6.0