6H-SiC单晶锭边缘的多晶环控制

• 作者: 封先锋 蒲红斌 陈治明
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 6H-SiC 多晶SiC 坩埚系统
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 1124-1129,1140
• 分类号: O782.7
• 字数: 3596字
• 语种: 中文

摘要

6H-SiC晶体生长过程中单晶锭边缘形成的多晶环影响单晶体的品质.本研究制定了以改进坩埚系统结构为主、调整线圈与坩埚相对位置为辅的多晶环厚度控制方案,利用自制设备进行了6H-SiC晶体生长验证实验,实验结果显示所生长6H-SiC单晶体不但周边和表面光滑,未有多晶出现,还实现了显著的扩径生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学电子工程系	83	498	11.0	18.0
2	蒲红斌	西安理工大学电子工程系	33	119	7.0	9.0
3	封先锋	西安理工大学电子工程系	22	106	7.0	9.0