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摘要:
脉冲激光沉积法(PLD)以其低温成膜优势被公认为是宽禁带半导体AIN薄膜的优选制备方法.获得高质量的AIN薄膜需要最佳的薄膜/衬底匹配和工艺参数.综述了各种常见异质外延衬底与AlN薄膜的取向关系,分析了影响薄膜质量的工艺因素,介绍了薄膜在电、光、热方面的性能研究现状,并指出了今后工作的方向.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 脉冲激光沉积AlN薄膜的结构表征和性能研究进展
来源期刊 材料导报 学科 工学
关键词 脉冲激光沉积 AlN薄膜 衬底 工艺参数 性能
年,卷(期) 2010,(11) 所属期刊栏目 材料综述
研究方向 页码范围 45-49
页数 分类号 TQ13
字数 5842字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 符跃春 广西大学材料科学与工程学院有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室 13 58 3.0 7.0
2 何欢 广西大学材料科学与工程学院有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室 19 102 6.0 10.0
3 谢尚晻 广西大学材料科学与工程学院有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室 1 11 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
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脉冲激光沉积
AlN薄膜
衬底
工艺参数
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研究起点
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期刊影响力
材料导报
半月刊
1005-023X
50-1078/TB
大16开
重庆市渝北区洪湖西路18号
78-93
1987
chi
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16557
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86
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