比较2种溅射方法镀制的氧化硅薄膜

• 作者: 扎瓦斯基 朱昌 格拉索夫 米高园 达斯坦科
• 来源期刊: 应用光学
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控反应溅射 离子束反应溅射 折射率 消光系数
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 855-859
• 分类号: TN305.92|O484.4
• 字数: 3113字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2082.2010.05.038

摘要

比较了磁控反应溅射(RMS)法与离子束反应溅射(RIBS)法沉积得到的氧化硅薄膜的光学特性,并确定了其对折射率n、消光系数k、沉积速率和混合工作气体Ar/O2中氧含量的依赖性关系.工作气体中O2含量大于15%时通过RMS法沉积的氧化硅薄膜在0.63 μm波长折射率约为1.52～1.55,消光系数低于10-5.当O2含量在80%以上时RIBS方法沉积氧化硅薄膜的折射率n=1.52～1.6,消光系数低于10-5.用RMS沉积SiO2薄膜,当氧气量超过15%时发生反应模式,此时沉积速率下降近5倍.而用RIBS时,沉积速率并不依赖氧气在混合工作气体中的含量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱昌		39	245	9.0	13.0
2	米高园		2	4	1.0	2.0