阴离子聚合法合成高1,2-结构含量窄分子量分布的端羟基聚丁二烯

• 作者: 易建军 柏海见 陈继明 齐永新
• 来源期刊: 化工新型材料
• 学科: 工学
• 关键词: 阴离子聚合 高1 2-结构含量 窄分子量分布 端羟基聚丁二烯
• 年，卷（期）: 2010,（z1）
• 所属期刊栏目: 新材料与新技术
• 页码范围: 76-79
• 分类号: TQ2
• 字数: 2282字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3536.2010.z1.021

摘要

用叔丁基二甲基硅氧基丙基锂为引发剂,以四氢呋喃为溶剂合成了高1,2-结构含量、窄分子量分布的端羟基聚丁二烯.通过核磁共振、红外光谱、凝胶渗透色谱、羟值测定等分析方法研究了阴离子聚合合成的端羟基聚丁二烯的主链结构、分子量分布、官能度及其分布.结果表明,合成的端羟基聚丁二烯1,2-结构含量高达93.6%,分子量分布仅为1.06,官能度分布接近2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈继明		33	160	6.0	11.0
2	柏海见		16	62	5.0	6.0
3	易建军		20	60	5.0	6.0
4	齐永新		43	200	8.0	11.0