低压力Cu布线CMP速率的研究

• 作者: 刘效岩 刘海晓 刘玉岭 李晖 王辰伟
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 铜布线 低机械强度 抛光速率
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 761-763,767
• 分类号: TN405.97|TN305.2
• 字数: 1679字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.08.004

摘要

采用低介电常数材料(低k介质)作为Cu布线中的介质层,已经成为集成电路技术发展的必然趋势.由于低k介质的低耐压性,加工的机械强度必须降低,这对传统化学机械抛光(CMP)工艺提出了挑战.通过对CMP过程的机理分析,提出了影响低机械强度下Cu布线CMP速率的主要因素,详细分析了CMP过程中磨料体积分数、氧化剂体积分数、FA/O螯合剂体积分数等参数对去除速率的影响.在4.33 kPa的低压下通过实验得出,在磨料体积分数为20%,氧化剂体积分数为3%,FA/O螯合剂体积分数为1.5%时可以获得最佳的去除速率及良好的速率一致性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	刘效岩	河北工业大学微电子研究所	20	133	8.0	10.0
3	刘海晓	河北工业大学微电子研究所	4	31	3.0	4.0
4	李晖	河北工业大学微电子研究所	4	28	3.0	4.0
5	王辰伟	河北工业大学微电子研究所	80	287	8.0	10.0