双介孔SiO2的原位合成及表征

• 作者: 张金利 王小丽 郭翠梨
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 化学
• 关键词: 双介孔SiO2 原位合成 MCM-41
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 1831-1834
• 分类号: O613.7
• 字数: 3353字
• 语种: 中文

摘要

以富含大孔或大介孔结构的硅胶为原料,在其上通过原位晶化合成具有小介孔-大介孔双孔分布的复合SiO2,并利用N2吸附-脱附、X射线衍射、扫描电镜、透射电子显微镜等手段对SiO2的物化性能和孔分布进行了表征.结果表明,所制备的样品具有双孔分布,孔径分别在3和45nm左右;小介孔的孔结构与MCM-41介孔类似,负载于硅胶表面及大孔孔壁上;大介孔的孔径较硅胶孔径有所减小,但未被完全填充堵塞.通过改变TEOS/大孔硅胶及CTAB/TEOS的配比可以实现对双介孔SiO2孔分布的调控.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭翠梨	天津大学化工学院	43	391	12.0	18.0
2	张金利	天津大学化工学院	93	1175	16.0	32.0
3	王小丽	天津大学化工学院	3	11	2.0	3.0