ZnGeP2单晶生长与安瓿设计研究

• 作者: 何知宇 徐婷 朱世富 梁栋程 范强 赵北君 陈宝军
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磷锗锌 安瓿设计 XRD分析 IR透过谱
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 834-837,845
• 分类号: O782
• 字数: 1455字
• 语种: 中文

摘要

根据晶体自发成核几何淘汰规律,结合ZnGeP2晶体的结晶习性,研究设计出生长完整ZnGeP2单晶体的双层镀碳石英安瓿,其关键技术参数为:安瓿长径比6～7,籽晶袋长度≥25 mm,安瓿主体与籽晶袋之间的放肩角在25°左右.在上述生长安瓿中,采用改进的垂直布里奇曼法,分段控制下降速率,成功生长出尺寸为22 mm×40 mm的ZnGeP2单晶.对晶体进行X射线分析,获得(204)面单晶衍射谱和回摆谱,衍射峰峰形尖锐无劈裂,回摆谱对称性好,半峰宽为0.063 °;晶片在2～12 μm波段范围内的红外透过率达50%以上.实验结果表明,研究设计的生长安瓿适合于磷锗锌单晶生长,能够获得较高质量的单晶体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱世富	四川大学材料科学系	151	840	14.0	20.0
2	赵北君	四川大学材料科学系	132	744	14.0	19.0
3	陈宝军	四川大学材料科学系	56	160	7.0	9.0
4	何知宇	四川大学材料科学系	69	221	8.0	11.0
5	徐婷	四川大学材料科学系	37	54	5.0	7.0
6	范强	四川大学材料科学系	10	13	2.0	3.0
7	梁栋程	四川大学材料科学系	2	3	1.0	1.0