Cu CMP抛光液对速率的影响分析及优化

• 作者: 刘效岩 刘海晓 刘玉岭 李晖 胡轶
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 抛光液 化学机械抛光 PB实验 响应曲面法 去除速率
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 1071-1074
• 分类号: TN405.97|TN305.2
• 字数: 2637字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.11.006

摘要

在超大规模集成电路多层Cu布线CMP工艺中,抛光液是决定抛光速率、抛光表面状态和平坦化能力的重要因素.采用Plackett-Burman(PB)筛选实验对抛光液成分(磨料、氧化剂、活性剂、螯合剂)进行显著性因素分析,得出磨料、FA/O螯合剂Ⅱ型和氧化剂为显著性因素,并采用响应曲面法对其进行优化并建立了模型,最终得到以去除速率为评价条件的综合最优抛光液配比,为Cu抛光液配比优化及对CMP的进一步发展提供了新的思路与途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	刘效岩	河北工业大学微电子研究所	20	133	8.0	10.0
3	胡轶	河北工业大学微电子研究所	8	60	6.0	7.0
4	刘海晓	河北工业大学微电子研究所	4	31	3.0	4.0
5	李晖	河北工业大学微电子研究所	4	28	3.0	4.0