成型工艺对高介单层微波陶瓷电容器性能的影响

• 作者: 吕贤亮 张树人 钟朝位
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 钛酸锶 高介单层微波电容器 轧膜工艺 流延工艺
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 8-10
• 分类号: TM534+.1
• 字数: 2580字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.05.003

摘要

分别采用轧膜与流延两种成型工艺制备了SrTiO3高介单层微波陶瓷电容器材料,对比研究了两种成型工艺对其结构与性能的影响.研究表明:对于轧膜工艺而言,电容器陶瓷材料的εr和密度随着轧膜次数增加呈单峰效应,瓷料脱辊后轧膜70次左右可获得表面平整、结构致密、介电性能良好的电容器陶瓷材料.和流延工艺相比,轧膜工艺制备的电容器陶瓷材料εr较大,电容量温度变化率较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟朝位	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	49	326	8.0	16.0
2	张树人	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	187	1176	16.0	24.0
3	吕贤亮	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	8	1.0	1.0