方波射频电压幅值对微型高场非对称波形离子迁移谱传感器芯片性能的影响

• 作者: 丁力 吝涛 唐飞 张亮 徐初隆 李华 杨吉 王帆 王晓浩
• 来源期刊: 分析化学
• 学科: 化学
• 关键词: 微机电系统 高场非对称波形离子迁移谱 方波射频电压
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 1678-1682
• 分类号: O6
• 字数: 2642字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1096.2010.01678

摘要

基于微机电系统技术(Micro electro mechanical system,MEMS), 研制了微型高场非对称波形离子迁移谱(High-field asymmetric waveform ion mobility spectrometry,FAIMS)传感器芯片.芯片采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀和两次硅-玻璃键合工艺加工,尺寸为18.8 mm×12.4 mm×1.2mm,其中迁移区尺寸为10 mm×5 mm×0.2 mm.设计了高场非对称方波电源,可输出最大频率2 MHz,电压峰-峰值1000 V,占空比20%～50%连续可调的方波射频电压.以乙醇为实验样品,分析了方波射频电压幅值对FAIMS传感器芯片性能的影响.实验表明,随着电压幅值的增加,FAIMS分辨率提高,灵敏度下降,补偿电压绝对值增大,且芯片对乙醇的检出限可达8.9 mg/m3.