真空紫外硅闪耀光栅的制作

• 作者: 付绍军 刘颖 徐向东 洪义麟 盛斌
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 闪耀光栅 单晶硅 各向异性湿法刻蚀 真空紫外 掩模
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 现代应用光学
• 页码范围: 94-99
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.7|O436.1
• 字数: 3106字
• 语种: 中文

摘要

利用单晶硅在KOH溶液中的各向异性刻蚀特性,在相对Si(111)面切偏角为5°的单晶片上制作了1 200 gr/mm的真空紫外闪耀光栅.结合全息干涉曝光以及光刻胶灰化技术,在单晶硅表面得到了小占宽比的高质量光刻胶掩模,用湿法刻蚀将光栅掩模图形转移到单晶硅表面的天然氧化层上,并将其作为硅各向异性湿法刻蚀的掩模,成功获得了接近于理想锯齿槽形的闪耀光栅.用原子力显微镜分析光栅闪耀面,结果表明其表面均方根粗糙度约为0.2 nm.在真空紫外波段对其进行衍射效率测量,发现光栅在135 nm波长处显示出良好的闪耀特性.此方法可以应用于真空紫外和软X射线波段的光栅制作,在获得较高的槽形效率的同时,可以大大减少其制作难度及成本.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐向东	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	74	701	15.0	21.0
2	洪义麟	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	56	478	13.0	19.0
3	付绍军	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	69	435	12.0	15.0
4	刘颖	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	158	3777	30.0	58.0
5	盛斌	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	11	56	5.0	7.0