纯氮气反应溅射AlN薄膜及性质研究

• 作者: 吴荣 孙言飞 杨世才 简基康 郑毓峰 阿布都艾则孜·阿布来提
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化铝 磁控反应溅射 择优取向
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 190-196
• 页数: 7页
• 分类号: O484
• 字数: 5232字
• 语种: 中文

摘要

在不同氮气浓度、不同溅射气压和衬底温度为20～370 ℃的条件下,分别在多种衬底上采用反应磁控溅射法沉积AlN薄膜.X射线衍射图谱表明:温度大于180 ℃时可在多种衬底上沉积出具有c轴择优取向的纤锌矿AlN薄膜.衬底温度和溅射时间的增加有利于薄膜结晶性的改善. 1.5 Pa的纯氮气气氛和Si(100)衬底是最佳择优生长条件.由紫外-可见光透射谱计算得到:在石英衬底上沉积的薄膜折射率为1.80～1.85,膜厚约为 1 μm、光学能隙为6.1 eV.原子力显微镜照片表明:在Si(100)衬底上制备的薄膜表面平滑,均方根粗糙度为2.2～13.2 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨世才	新疆大学物理科学与技术学院	4	24	2.0	4.0
2	阿布都艾则孜·阿布来提	新疆大学物理科学与技术学院	13	24	2.0	4.0
3	简基康	新疆大学物理科学与技术学院	28	85	5.0	7.0
4	郑毓峰	新疆大学物理科学与技术学院	56	610	13.0	23.0
5	孙言飞	新疆大学物理科学与技术学院	53	313	10.0	15.0
6	吴荣	新疆大学物理科学与技术学院	26	152	8.0	11.0