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摘要:
以新型BaCo_(0.05)~ⅡCo_(0.1)~ ⅢBi_(0.85)O_3材料为基体,以CuO为烧结助剂,在790、800、810 ℃烧结4 h制备了NTC厚膜电阻.借助XRD、SEM和阻温特性测试仪,研究了CuO含量对电阻相组成、微观结构及电性能的影响.结果表明:烧结温度为800 ℃的NTC厚膜电阻主要物相为具有复合立方钙钛矿结构的BaCo_(0.05)~ⅡCo_(0.1)~ ⅢBi_(0.85)O_3,并有少量Bi_2O_3剩余;该组电阻表面颗粒均匀细小,致密性随CuO含量的增加而趋于增加.对烧结温度为790 ℃的电阻来说,其室温电阻R_(25)和B_(25/85)随CuO含量的增加而逐渐降低;该电阻的R_(25)、B_(25/85)及活化能E_a分别为0.98~13.40 kΩ、931~1 855 K和0.08~0.16 eV.
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文献信息
篇名 一种新型NTC厚膜电阻的制备及电性能研究
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 NTC厚膜电阻 BaCo_(0.05)~ⅡCo_(0.1)~ⅢBi_(0.85)O_3 氧化铜(CuO) 电性能
年,卷(期) 2010,(2) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 17-19,23
页数 4页 分类号 TN37
字数 2585字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.02.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘心宇 桂林电子科技大学信息材料科学与工程系 224 1450 18.0 23.0
3 袁昌来 桂林电子科技大学信息材料科学与工程系 64 176 7.0 10.0
5 黄静月 桂林电子科技大学信息材料科学与工程系 9 21 3.0 4.0
6 李擘 桂林电子科技大学信息材料科学与工程系 4 6 1.0 2.0
7 赵霞妍 桂林电子科技大学信息材料科学与工程系 4 10 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
NTC厚膜电阻
BaCo_(0.05)~ⅡCo_(0.1)~ⅢBi_(0.85)O_3
氧化铜(CuO)
电性能
研究起点
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电子元件与材料
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1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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31758
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