膜厚对Zr,Al共掺杂ZnO透明导电薄膜结构和光电性能的影响

• 作者: 刘云燕 刘汉法 张化福 王辉 袁玉珍
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 Zr,Al共掺杂ZnO 膜厚 透明导电薄膜
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 169-173
• 页数: 5页
• 分类号: O484|TN304.055
• 字数: 2948字
• 语种: 中文

摘要

采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出Zr,Al共掺杂ZnO(AZZO)透明导电薄膜.用XRD和SEM分析和观察了薄膜样品的组织结构和表面形貌.研究表明:制备的AZZO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向.另外还研究了薄膜的结构、光学和电学性质随薄膜厚度的变化关系.当薄膜厚度为843 nm时,电阻率具有最小值1.18×10~(-3) Ω·cm,在可见光区(500～800 nm)平均透过率超过93%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王辉	山东理工大学理学院	7	61	5.0	7.0
5	袁玉珍	山东理工大学理学院	26	159	7.0	11.0
6	刘汉法	山东理工大学理学院	57	316	11.0	13.0
7	张化福	山东理工大学理学院	52	292	11.0	13.0
8	刘云燕	山东理工大学理学院	16	111	6.0	10.0