β-SiC微粉中杂质碳的去除工艺研究

• 作者: 于庆芬 王晓刚 田欣伟 邓丽荣 陆树河
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: β-SiC微粉 杂质碳 氧化特性
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 1221-1225
• 分类号: TB383
• 字数: 2888字
• 语种: 中文

摘要

借助激光粒度仪、综合热分析仪、X射线衍射仪和化学分析手段,研究了无限微热源法合成的β-SiC微粉中杂质碳的粒度组成和氧化特性,以及主成分β-SiC的氧化特性,得到了空气氧化法去除β-SiC微粉中杂质碳的最佳工艺条件为:氧化温度800～900 ℃,氧化持续时间为1 h.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓刚	西安科技大学材料科学与工程学院	139	838	15.0	23.0
2	田欣伟	西安科技大学材料科学与工程学院	13	83	5.0	8.0
3	邓丽荣	西安科技大学材料科学与工程学院	25	94	6.0	9.0
4	陆树河	西安科技大学材料科学与工程学院	24	65	5.0	7.0
5	于庆芬	西安科技大学材料科学与工程学院	1	8	1.0	1.0