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原文服务方: 现代电子技术       
摘要:
在传统的单结晶体管伏安特性测试实验中,通常需要直流电源与晶体管图示仪配合使用.晶体管图示仪没有相应的器件插孔,测试很不方便.另外,因晶体管图示仪的频率特性低,无法显示单结晶体管伏安特性的负阻区,给理解其特性曲线带来了困难.为了降低实验成本,简化实验操作过程,采用虚拟仪器技术设计单结晶体管伏安特性测试仪,可以完整地显示其特性曲线,且方便于读取峰点与谷点的电压与电流值.
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文献信息
篇名 基于NI Multisim 10与LabVIEW的单结晶体管伏安特性测试
来源期刊 现代电子技术 学科
关键词 单结晶体管 伏安特性 Multisim 10 虚拟仪器 LabVIEW
年,卷(期) 2010,(10) 所属期刊栏目 新型元器件
研究方向 页码范围 149-151
页数 分类号 TP274
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-373X.2010.10.048
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 宗爱芹 上海海事大学高等技术学院 3 5 1.0 2.0
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单结晶体管
伏安特性
Multisim 10
虚拟仪器
LabVIEW
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代电子技术
半月刊
1004-373X
61-1224/TN
大16开
1977-01-01
chi
出版文献量(篇)
23937
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135074
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