沉积压强对Sc掺杂ZnO薄膜性能的影响

• 作者: 徐飞 栗敏 缪存星 赵占霞 马忠权
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频磁控溅射 SZO薄膜 溅射压强 透明导电氧化物
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 139-143
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2836字
• 语种: 中文

摘要

利用射频磁控溅射方法,采用Sc_2O_3掺杂(质量百分比2%)ZnO为靶材在石英玻璃上制备透明导电ZnO:Sc(SZO)薄膜.用X射线衍射仪、分光光度计及霍尔测试仪等对样品进行表征,分析了沉积压强从0.3 Pa到2.0 Pa的变化对SZO薄膜的微结构及光学特性的影响.XRD研究结果表明所有样品都是六角密堆积结构,而且溅射压强对SZO薄膜的微结构有着显著的影响.所有SZO薄膜的透过率在可见光区域均大于85%,近紫外区域由于吸收,透射率大大降低.