一种0.9V低电压低本振功率CMOS有源混频器

• 作者: 吕英杰 张小兴 戴宇杰 韦保林
• 来源期刊: 电讯技术
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS有源混频器 衬底效应 低电压 低本振功率
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 信道技术
• 页码范围: 93-97
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 2780字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-893x.2010.01.018

摘要

设计了一种可工作于0.9 V低电压和-5 dBm本振功率的CMOS有源混频器.通过在MOS管栅极和衬底间引入耦合电容,利用衬底效应加快MOS管的导通和截止,使开关对的开关状态更理想,有效地降低混频器的噪声并提高其线性特性.采用0.18 μm CMOS工艺设计,在2.45 GHz本振信号和2.44 GHz射频信号输入下,实验结果表明该混频器可有效地实现混频且具有较好的性能指标:电压转换增益为12.4 dB,输入三阶截断点为-0.6 dBm,输入1dB压缩点为-3.4 dBm,单边带噪声系数为12 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴宇杰	南开大学微电子学研究所	39	115	6.0	10.0
2	张小兴	南开大学微电子学研究所	35	93	6.0	9.0
3	吕英杰	南开大学微电子学研究所	38	92	6.0	8.0
4	韦保林	南开大学微电子学研究所	47	97	4.0	7.0