光电耦合器4N49单粒子瞬态脉冲效应的试验研究

• 作者: 安广朋 封国强 张振龙 韩建伟 马英起 黄建国
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 脉冲激光 光电耦合器 单粒子瞬态脉冲
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 764-768
• 分类号: TN4
• 语种: 中文

摘要

通过脉冲激光模拟单粒子效应,对光电耦合器4N49的单粒子瞬态脉冲(SET)效应进行了试验研究.在10 V工作电压下,获取了4N49在特定线性能量传输(LET)值下的SET波形特征及其变化规律,得到了器件SET效应的等效LET阈值为10 MeV·cm2·mg-1,而饱和截面数值则高达1.2×10-3 cm2.试验验证了4N49的SET效应对后续数字电路的影响状况,定量研究了SET效应减缓电路的有效性,通过设计合理的电路参数可将器件在5 V工作电压下的SET效应阈值由7.89 MeV·cm2·mg-1提高至22.19 MeV·cm2·mg-1.4N49的SET效应试验研究为光电耦合器SET效应的测试及防护措施的有效性验证提供了新的试验方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄建国	中国科学院空间科学与应用研究中心	36	450	14.0	20.0
2	韩建伟	中国科学院空间科学与应用研究中心	90	549	14.0	18.0
3	张振龙	中国科学院空间科学与应用研究中心	35	275	10.0	15.0
4	封国强	中国科学院空间科学与应用研究中心	22	139	6.0	10.0
5	安广朋	中国科学院空间科学与应用研究中心	7	28	3.0	5.0