掺Au扩散对快速恢复功率二极管电参数的影响

• 作者: 陈艳明
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 二极管 掺Au扩散 反向恢复时间 正向压降 反向电流 衬底电阻率
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 569-572
• 分类号: TN313.4
• 字数: 3171字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.06.013

摘要

简述快速恢复功率二极管的几个重要电参数及其工作原理,根据长期制造二极管的实验经验和实验数据分析,掺Au工艺对快速恢复功率二极管反向恢复时间trr和外延二极管正向压降VF以及反向电流IR的影响.实验采用掺Au扩散温度在900℃以上,观察随着扩Au温度升高trr变小、而IR和VF随之增大,通过实验着重讨论了这三个电参数的相互制约关系.同时指出,选择Si片时,衬底电阻率范围不易过宽,避免由于衬底电阻率Rs差值较大对Si片与Si片之间的电参数工艺控制指数的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈艳明		2	0	0.0	0.0