MOS结构电容高频C-V特性的应用

• 作者: 孔学东 熊海 章晓文
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: MOS电容 电荷密度 界面态 高频C-V
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 封装、测试与设备
• 页码范围: 94-98
• 页数: 5页
• 分类号: TN32
• 字数: 3487字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.01.022

摘要

CMOS工艺的发展要求栅介质层厚度不断减薄,随着栅极漏电流的不断增大使用准静态的方法测量器件特性不稳定.根据这一情况,提出用高频电容电压(C-V)来评价深亚微米和超深亚微米器件工艺.通过高频C-V法结合MOS相关理论可以得到介质层的厚度、最大耗尽层宽度、阈值电压、平带电压等参数以及栅介质层中各种电荷密度的分布,用以评价栅介质层和衬底的界面特性.文章提出通过电导对测量结果进行修正,使其能够适用更小尺寸器件的要求,使高频C-V法能够在不同的工艺下得到广泛的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊海	广东工业大学材料学院	2	13	1.0	2.0
5	孔学东		8	21	2.0	4.0
6	章晓文		13	39	4.0	5.0