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摘要:
本文设计了11.4~12.8GHz频段内五位数字移相器的电路拓扑.采用GaAs MESMET技术建立封须开关模型,对高/低通网络型网络拓扑及场效应管嵌入桥π型电路的移相器拓扑进行仿真,结果表明,当中心须率在12GHz时,达到精确的移相度数,在整个频带内插入损耗小于2dB,移相精度(RMS)小于30,移相前后电压驻波比小于1.35.
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文献信息
篇名 Ku波段五位数字移相器的设计
来源期刊 电子元器件资讯 学科 工学
关键词 移相器 GaAs MESFET 高/低通网络
年,卷(期) 2010,(11) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 62-65
页数 分类号 TN820.1+1
字数 2431字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 姜楠 大连交通大学电气信息学院 4 32 2.0 4.0
2 邱继刚 大连交通大学电气信息学院 5 5 2.0 2.0
3 赵明国 大连交通大学电气信息学院 2 7 2.0 2.0
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