Al-2N高共掺p型ZnO电子结构和红移效应的第一性原理研究

• 作者: 侯清玉 李继军 赵春旺
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 化学
• 关键词: 高共掺ZnO 电子结构 红移 第一性原理
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 1394-1397,1401
• 分类号: TN302|O646.54
• 字数: 2566字
• 语种: 中文

摘要

基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,对纯的和Al-2N高共掺ZnO超胞的几何结构优化、能带分布、总态密度分布、分波态密度分布、Mulilken电荷分布和吸收光谱的计算.比较计算结果表明,Al-2N高共掺后ZnO电子结构发生了较大的改变,导电类型转化为p型;轨道杂化增强,电荷转移特征明显;间隙宽度减小,吸收光谱发生了红移效应,并且随着Al和N掺杂的相对原子浓度越大红移效应越显著,计算结果和实验的变化趋势相一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯清玉	内蒙古工业大学理学院物理系	43	191	7.0	9.0
2	李继军	内蒙古工业大学理学院物理系	56	292	8.0	16.0
3	赵春旺	内蒙古工业大学理学院物理系	58	247	9.0	12.0