氧化铁掺杂对PMnS-PZN-PZT压电陶瓷性能的影响

• 作者: 周静 孙华君 毛洁冰 郑惠清 陈文
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PMnS-PZN-PZT压电陶瓷 压电性能 介电损耗 Fe_2O_3掺杂
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 72-76
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174.75
• 字数: 3349字
• 语种: 中文

摘要

通过对晶体结构与压电、介电性能测试,探讨了Fe_2O_3掺杂对PMnS-PZN-PZT陶瓷压电性能的影响.结果表明,PMnS-PZN-PZT陶瓷结构位于三方、四方相共存的MPB区间,Fe_2O_3掺杂导致晶体三方、四方相结构含量发生变化.当Fe_2O_3掺杂含量为0.45 wt%时,晶体结构位于准同型相区间偏四方相结构的位置,压电与介电性能达到最佳:tanδ=0.12%,d_(33)=356 pC · N~(-1),k_p=0.60,Q_m=745,在230 ℃以下的温度范围具有很好的频率温度稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈文	武汉理工大学材料科学与工程学院	216	1824	21.0	26.0
2	周静	武汉理工大学材料科学与工程学院	122	928	18.0	22.0
3	孙华君	武汉理工大学材料科学与工程学院	37	308	10.0	16.0
4	毛洁冰	武汉理工大学材料科学与工程学院	1	10	1.0	1.0
5	郑惠清	武汉理工大学材料科学与工程学院	1	10	1.0	1.0