退火工艺对含Ti-Al阻挡层的硅基Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3铁电电容器结构和性能影响的研究

• 作者: 刘保亭 孙杰 王宽冒 王玉强 赵敬伟 郭颖楠 陈剑辉
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 退火工艺 PZT 磁控溅射法 溶胶-凝胶法
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 62-66,71
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 3706字
• 语种: 中文

摘要

应用非晶的Ti-Al薄膜为导电阻挡层,采用射频磁控溅射法和溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3/Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3/La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3/Ti-Al/Si (LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si)异质结,研究了550 ℃常规退火(CTA)和快速退火(RTA)工艺对LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si结构和性能的影响.实验发现非晶Ti-Al薄膜在经过不同退火工艺后仍具有非晶结构,快速退火6 min的样品具有较好的物理性能.在418 kV/cm的外加电场下,LSCO/PZT/LSCO电容器的剩余极化强度和矫顽电场强度分别为22 μC/cm~2和83 kV/cm.LSCO/PZT/LSCO电容器的漏电行为不依赖于退火工艺,当电场强度低于46.7 kV/cm时为欧姆导电,高于46.7 kV/cm时为肖特基导电机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈剑辉	河北大学物理科学与技术学院	10	43	4.0	6.0
2	刘保亭	河北大学物理科学与技术学院	84	302	10.0	13.0
3	王宽冒	河北大学物理科学与技术学院	9	52	5.0	7.0
4	孙杰	河北大学电子信息工程学院	8	16	3.0	3.0
5	郭颖楠	河北大学物理科学与技术学院	8	75	4.0	8.0
6	赵敬伟	河北大学物理科学与技术学院	4	11	2.0	3.0
7	王玉强	河北大学电子信息工程学院	4	8	2.0	2.0