用于先进太阳电池的InAs量子点材料制备与表征

• 作者: 万春明 刘国军 曲轶 李占国 李林 李梅 王勇 王晓华 芦鹏 薄报学
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳电池 InAs量子点 中间带隙
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 1349-1352
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1631字
• 语种: 中文

摘要

利用MOCVD外延技术生长InAs量子点材料,通过采用Sb作为表面活性剂,调节所选择InAs量子点材料的生长参数,获得了具有不同尺寸、高密度的InAs量子点材料.