单室沉积p-i-n型微晶硅薄膜太阳电池性能优化的研究

• 作者: 侯国付 孙建 孙福和 张晓丹 熊绍珍 王光红 耿新华 许盛之 赵颖 魏长春
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 单室 微晶硅太阳电池 等离子体增强化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 1344-1348
• 分类号: O6
• 语种: 中文

摘要

采用原位的氢等离子体处理技术和微晶覆盖技术来降低单室沉积p-i-n型微晶硅薄膜太阳电池中的硼污染问题.通过对不同处理技术所制备电池的电流密度-电压和量子效率测试结果的比较发现,一定的氢处理时间和合适的覆盖层技术都可以在一定程度上提高电池的性能,但每种方法的影响程度各异、文中对此异同进行了分析.通过对电池陷光结构和氢等离子体处理时间的优化,在单室中获得了效率为6.39%的单结微晶硅太阳电池.