表面型静电感应晶闸管负阻导通特性的研究

• 作者: 季涛 杨利成
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 静电感应晶闸管 表面型 双注入效应 势垒 鞍点
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 325-328
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.7
• 字数: 2612字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.04.007

摘要

运用漂移- 扩散模型,对表面型静电感应晶闸管的导通特性进行了数值模拟.分析表明,表面型静电感应晶闸管(SITH)具有与纵向结构SITH类似的负阻导通特性,而且表面型结构的各电极相对面积比纵向结构要小很多,阴极和栅极之间的电容更小,从而具有更快的开关速度和更高的灵敏度.对表面型SITH的电势分布、载流子分布以及阳极I-V特性进行了深入地计算和分析.显示数值模拟结果十分接近实际测量结果,模拟中也发现栅极的位置对栅极的控制性能的影响很大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	季涛	上海工程技术大学基础教学学院	17	23	3.0	4.0
2	杨利成	兰州大学物理科学与技术学院微电子学研究所	1	1	1.0	1.0