气源分子束外延生长的InAs/InP(100)量子点激光器

• 作者: 徐承福 李世国 杨海东 陈朋 高山 龚谦
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 激光器 自组织 量子点 光谱 气源分子束外延
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 871-873
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1185字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.09.004

摘要

利用气源分子束外延(GSMBE)技术,在InP(100)衬底上生长InAs量子点激光器.有源区包含5层InAs量子点,每层量子点的平均尺寸是2.9 nm和76 nm,面密度在1010 cm-2左右,势垒层为InGaAsP.室温下量子点的光致发光中心波长在1.55 μm,发光峰半高宽为108 imeV.通过化学湿法腐蚀制备双沟道8μm宽脊条激光器,在20℃连续波工作模式下,腔长为0.7 mm的激光器的阈值电流为143 mA(2.5 kA/cm2),器件的激射中心波长在1.55 μm.由于量子点尺寸的非均匀性,在大电流注入,激光器的激射谱展宽.器件单端面最大输出功率为27 mW,功率斜率效率为130 mW/A.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨海东	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	3	11	2.0	3.0
2	李世国	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	3	9	2.0	3.0
3	陈朋	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	3	13	2.0	3.0
4	高山	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	17	79	4.0	8.0
5	徐承福	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	1	2	1.0	1.0