基于GaAs PIN二极管的宽带大功率单片单刀双掷开关

• 作者: 刘会东 吴洪江 高学邦 魏洪涛
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 大功率 宽带 单刀双掷 砷化镓 PIN二极管
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 495-498
• 分类号: TN312.4|TN304
• 字数: 1405字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.05.020

摘要

GaAs PIN二极管具有开态电阻小、截止频率高以及功率容量大的特点,采用GaAs PIN 二极管制作的开关插入损耗较小、隔离度较高、并且功率的线性较好.基于河北半导体研究所GaAs PIN工艺制造了一款单刀双掷开关芯片.该开关采用单级并联结构.通过微波在片测试,在小信号条件下,6～18 GHz范围内插入损耗小于1.45 dB、隔离度大于28 dB,输入输出反射损耗小于7.5 dB.把开关装入夹具中进行功率特性测试,在连续波输入功率37 dBm,12 GHz条件下测试输出功率仅压缩0.5 dB,具有非常好的功率特性.在4英寸(100 mm)晶圆上开关的成品率较高,具有非常好的工程应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏洪涛		3	16	2.0	3.0
2	高学邦		5	15	3.0	3.0
3	吴洪江		4	11	2.0	3.0
4	刘会东		2	6	1.0	2.0