高介电常数Ta/Al2O3复合膜的制备及性能研究

• 作者: 朱绪飞 马立波
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铝 钽 电沉积 复合膜 介电性能
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试测
• 页码范围: 40-42
• 分类号: TM535
• 字数: 2871字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.07.012

摘要

首次在溴的丙酮溶液中,以钽为阳极,氧化铝为阴极,通过直流电沉积方法制备了Ta/Al2O3复合膜.借助LCR数字电桥、SEM、EDS等测试手段对Ta/Al2O3复合膜的介电性能及微观结构进行了分析与表征.研究表明:Ta/Al2O3复合氧化膜的表面沉积了质量分数为41.77%的钽.与普通铝阳极(Al2O3)氧化膜相比,复合氧化膜的电容提高了50%以上,这主要归因于介电常数较高的钽在复合氧化膜表面的沉积.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱绪飞	南京理工大学化工学院	61	422	12.0	17.0
2	马立波		27	51	4.0	6.0