ZnO片式压敏电阻厚膜中Cr2O3含量的优化

• 作者: 万帅 吕文中 王晓川
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌 压敏电阻厚膜 微观结构 电性能 三氧化二铬
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文,英文
• 页码范围: 1122-1126
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文

摘要

研究三氧化二铬(Cr2O3)对氧化锌(ZnO)片式压敏电阻厚膜物相结构、微观结构和电性能的影响.X衍射分析表明:Cr2O3降低Bi4Ti3O12相的分解温度,并最终影响陶瓷厚膜的致密度、晶粒尺寸及电性能.当烧结温度为880℃时,Cr2O3摩尔(下同)掺量为0.3%的陶瓷厚膜能够得到良好性能:体积密度ρv=5.52g/cm3,晶界势垒Φb=0.116eV,非线性系数α=24.8.研究烧结温度与片式压敏电阻微观结构和电性能的关系,Cr2O3掺量为0.3%的片式压敏电阻在880℃烧结时,能够获得最佳电性能:压敏电压V1 mA=25V,α=23.6,漏电流I1=2.8μA.该片式压敏电阻的低烧结温度和高非线性在工业生产中具有很大优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕文中	华中科技大学电子科学与技术系	87	901	15.0	26.0
2	王晓川	华中科技大学电子科学与技术系	17	92	5.0	9.0
3	万帅	华中科技大学电子科学与技术系	4	8	2.0	2.0