聚焦电子束诱导SiOx纳米线表面碳沉积的分形生长

• 作者: 朱贤方 李论雄 王占国 王连洲 苏江滨
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: 透射电子显微镜 聚焦电子束诱导沉积 SiOx纳米线 非晶碳 分形生长
• 年，卷（期）: 2010,（16）
• 所属期刊栏目: 论文2
• 页码范围: 1632-1637
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/972009-152

摘要

电子束诱导沉积技术已被证实可以实现各种材料的分形生长,但是目前尚未发现聚焦电子束辐照下低维纳米结构表面未受辐照位置的分形生长现象,造成了聚焦电子束诱导分形生长机理研究的空白与片面性.以透射电子显微镜中残留的有机气体分子为前驱体,室温下利用高能聚焦电子束辐照,研究了一维非晶SiOx纳米线表面未受辐照位置碳沉积的分形生长.利用高分辨透射电子显微镜对SiOx纳米线表面非晶碳的沉积过程进行原位观察,发现了SiOx纳米线表面未受辐照位置非晶碳的不均匀沉积及分形生长,并捕捉到了碳沉积分形生长过程的细节.同时对聚焦电子束诱导SiOx纳米线表面未受辐照位置非晶碳的不均匀沉积及分形生长机理进行了深入的探索.