AgGaGeS_4晶体生长及性能研究

• 作者: 倪友保 吴海信 毛明生 王振友 陈林 黄飞
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AgGaGeS_4晶体 布里奇曼法 倍频 损伤阈值
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 25-28
• 页数: 4页
• 分类号: O78
• 字数: 1418字
• 语种: 中文

摘要

采用竖式布里奇曼法成功生长出大尺寸φ30 mm×80 mm的AgGaGeS_4单晶.X射线摇摆曲线测试结果表明该单晶结构完整.单晶元件在1.5～9.6 μm波段平均吸收系数约为0.25 cm~(-1),其中6.7～7.8 μm波段小于0.02 cm~(-1).制备的Ⅰ型相位匹配晶片元件(切角θ=43.5°, φ=0°,尺寸7 mm×7 mm×2.7 mm),在中心波长8.0305 μm基频光泵浦下,倍频输出了4.0153 μm红外激光,实验测得其实际相位匹配角为42.2°.利用波长2.05 μm、脉冲宽度20 ns的激光光源,测得其激光抗损伤阈值为270 MW/cm~2. 结合相图及温场分布对晶体生长过程中的关键问题进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴海信	中国科学院安徽光学精密机械研究所	23	96	6.0	9.0
2	毛明生	中国科学院安徽光学精密机械研究所	10	61	6.0	7.0
3	陈林	中国科学院安徽光学精密机械研究所	53	504	13.0	20.0
4	王振友	中国科学院安徽光学精密机械研究所	16	60	4.0	7.0
5	倪友保	中国科学院安徽光学精密机械研究所	16	61	4.0	7.0
6	黄飞	中国科学院安徽光学精密机械研究所	22	246	8.0	15.0