低阻值In掺杂CdZnTe晶体的退火改性

• 作者: 介万奇 俞鹏飞
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CdZnTe晶体 退火 红外透过率 PL谱
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 21-24
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2123字
• 语种: 中文

摘要

以Cd_(1-y)Zn_y合金作退火源,对采用改进的垂直布里奇曼法(MVB)生长的In掺杂的Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶片进行退火改性.结果表明:与退火前相比,退火后晶片的成分均匀性提高,Cd、Zn和Te三种元素的含量更接近理想的化学计量比,平均红外透过率由12%提高到59%,电阻率从3.5×10~6 Ω·cm提高到5.7×10~9 Ω·cm,且在PL谱中出现了代表晶体质量的(D~0,X)发光峰.在合适的条件下对低阻值In掺杂的CdZnTe晶体进行退火改性可较好的提高晶体的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学材料科学与工程学院	272	1636	19.0	27.0
2	俞鹏飞	西北工业大学材料科学与工程学院	3	5	2.0	2.0