硅纳米线阵列太阳电池的性能分析

• 作者: 吴茵 宋爽 彭奎庆 方慧 朱静 许颖
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅纳米线阵列 太阳电池 双二极管模型 少数载流子寿命
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 理论与实践
• 页码范围: 27-32
• 页数: 6页
• 分类号: O472|TK514
• 字数: 5004字
• 语种: 中文

摘要

采用金属催化腐蚀法分别在(100)和(111)硅片表面制备出大面积垂直排列和倾斜排列的单晶硅纳米线阵列,垂直阵列在300～1000nim波段的平均反射率约为2.5%,倾斜阵列在该波段的平均反射率约为5%.基于垂直阵列和倾斜阵列制作的硅纳米线阵列太阳电池的最高转换效率分别为9.31%和11.37%.倾斜阵列电池的串联电阻比垂直阵列电池有所减小,使电池填充因子增大,性能有所提升.载流子复合是硅纳米线阵列太阳电池中电学损失的主导,使电池性能明显低于常规单晶硅电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许颖		39	349	12.0	17.0
2	宋爽		2	44	2.0	2.0