性能优良的场效应晶体管

• 作者: 张晓东
• 来源期刊: 无线电
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 常用元器件的识别与使用(十)
• 页码范围: 93-96
• 页数: 4页
• 语种: 中文

摘要

场效应晶体管(英文缩写FET)简称场效应管,顾名思义,它是利用电场的效应来控制电流的.场效应晶体管是在普通晶体三极管制造工艺的基础上开发出来的新一代放大元件,它有3个电极--栅极、漏极和源极,其特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可达到上千兆欧,通过栅极电压可控制漏极电流,属于电压控制型半导体器件.