一种新型过温保护电路

• 作者: 王永顺 贾泳杰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 功率密度 过温保护 热滞回 与绝对温度成正比 健壮性
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 1020-1023
• 分类号: TN432
• 字数: 1622字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.10.017

摘要

采用CSMC 0.5 μm工艺,设计了一种新型过温保护电路.从检测温度和控制温度两方面考虑,通过优化电路结构,提出一种新型系统解决方案.在不引入热振荡的前提下,实现稳定电路温度和输出关断信号的双重功能.采用Cadence的Spectre仿真器进行仿真,结果表明,温度在-50～200℃时,PTAT电压以10.5 mV/℃变化,过温保护开启温度为105℃,具有滞迟功能.成功流片后对芯片进行测试,结果显示,在20～130 ℃内,PTAT电压灵敏度约为10 mV/℃,过温保护开启温度的实测值与仿真值的偏差小于3℃,滞迟范围为20℃.该保护电路是开关电源IP的重要组成部分,在设计过程中时刻考虑其工艺健壮性和可重用性的约束条件,确保其可移植性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王永顺	兰州交通大学电子与信息工程学院	35	128	7.0	9.0
2	贾泳杰	兰州交通大学电子与信息工程学院	1	14	1.0	1.0