Si片多线切割技术与设备的发展现状与趋势

• 作者: 任丙彦 李宁 李艳玲 王平 罗晓英
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多线切割 硅片 半导体材料 钢线张力 砂浆
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 301-304,387
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.1
• 字数: 3608字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.04.001

摘要

介绍了Si片的多线切割宏观切割机理与微观切割机理,指出控制钢线张力减少钢线震动是切割工艺的重要指标.讨论了切割过程主要影响因素,钢线的外包Cu会造成Si片表面金属残留,钢线磨损影响Si片厚度,砂浆喷嘴和线网角度在形成水平薄膜层时能够获得好的表面质量.分析了钢线带动砂浆进行切割的核心工艺,给出了Si片切割工艺理论切片量的计算方法.并简要概括了目前多线切割技术及设备的国内外发展形势和未来发展趋势,指出未来多线切割技术将朝着提高加工精度与加工效率、降低成本、改良切割用钢线这几个方向迈进.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李宁	河北工业大学材料学院	35	207	9.0	12.0
2	任丙彦	河北工业大学材料学院	31	241	9.0	14.0
3	王平	河北工业大学材料学院	6	97	3.0	6.0
4	罗晓英	河北工业大学材料学院	3	40	3.0	3.0
5	李艳玲	中国电子科技集团公司第四十五研究所	2	37	2.0	2.0