基于DMOS管的电荷灵敏前置放大器设计

• 作者: WEMBE TAFO Evariste 苏弘 高艳妮
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: DMOS 电荷灵敏前置放大器 设计 仿真
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 67-70
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.73
• 字数: 2069字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2010.01.016

摘要

提出了一种由DMOS场效应管构成的电荷灵敏前置放大器,可用于硅,Si(Li),CdZnTe及CsI探测器.该前置放大器采用不同于传统的阻容反馈式的电路结构,完全使用MOS管搭建,该前放的设计完成为设计实现ASIC电路准备了技术基础.由Multisim仿真结果看出该电荷灵敏前置放大器输出信号上升时间小于15ns,并且具有很好的稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏弘	中国科学院近代物理研究所	88	364	9.0	15.0
2	高艳妮	中国科学院近代物理研究所	7	77	4.0	7.0
6	WEMBE TAFO Evariste	中国科学院近代物理研究所	1	6	1.0	1.0