n型Ge基Ba_8Ga_(16-x)Zn_xGe_(30) I-型笼合物的制备及电传输特性

• 作者: 杨培志 田晶 申兰先 邓书康 郝瑞亭
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: I-型笼合物 热电材料 电传输特性
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 237-241
• 页数: 5页
• 分类号: O472
• 字数: 3235字
• 语种: 中文

摘要

用熔融法结合放电等离子体烧结技术,采用Zn掺杂制备了具有半导体传导特性的n型Ba_8Ga_(16-x)Zn_xGe_(30) I-型笼合物,研究了Zn部分置换Ga对化合物电传输特性的影响.研究表明所制备的化合物为单相的具有空间群Pm3-n的I-型笼合物.Zn掺杂前对应化合物表现为金属传导特性,Zn掺杂后对应化合物表现为典型的杂质半导体传导特性.室温下,随Zn掺杂量的增加,化合物的载流子浓度和载流子有效质量逐渐降低;Zn掺杂对室温载流子迁移率无明显影响.在300～900 K温度范围内,随Zn掺杂量的增加对应化合物的电导率逐渐降低,Seebeck系数逐渐增加.Zn掺杂后对应化合物的功率因子与掺杂前相比有所降低,且达到最大值的温度都向低温方向偏移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨培志	云南师范大学教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室	42	68	5.0	6.0
2	申兰先	云南师范大学教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室	8	59	2.0	7.0
3	邓书康	云南师范大学教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室	7	9	1.0	3.0
4	郝瑞亭	云南师范大学教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室	14	22	3.0	4.0
5	田晶	云南师范大学教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室	2	0	0.0	0.0