低能电子与H_2分子碰撞振动激发动量迁移散射截面的研究

• 作者: 冯灏 孙卫国 曾阳阳 樊群超 王小炼 王斌
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子碰撞 动量迁移散射截面 振动激发 H_2分子
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 937-942
• 分类号: O56
• 语种: 中文

摘要

采用振动密耦合方法及基于量子力学从头计算的静电势、交换势和相关极化势,研究了低能电子与H_2分子碰撞振动激发的动量迁移散射截面.通过包含18个振动波函数、8个分波和16个分子对称性,得到了收敛性很好的v-0→v'=0,1,2,3,4等几个振动跃迁通道的动量迁移散射截面值,并在入射电子能量1 eV<E≤10 eV时给出了比以前的理论研究更为合理的总的动量迁移散射截面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙卫国	四川大学原子与分子物理研究所	92	400	11.0	16.0
5	王斌	四川大学原子与分子物理研究所	128	1019	18.0	27.0
6	樊群超	西华大学物理与化学学院先进计算研究中心	33	16	2.0	3.0
7	冯灏	西华大学物理与化学学院先进计算研究中心	30	38	4.0	5.0
8	王小炼	四川大学原子与分子物理研究所	5	1	1.0	1.0
9	曾阳阳	四川大学原子与分子物理研究所	5	1	1.0	1.0