重掺杂直拉硅单晶氧化诱生缺陷的无铬腐蚀研究

• 作者: 孙燕 曹孜 李惠 石宇 翟富义 边永智
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 重掺硅 单晶 无铬腐蚀 氧化诱生层错 检测
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 1178-1182
• 分类号: TN304.12
• 字数: 3878字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.12.009

摘要

采用无铬和含铬两种溶液共同腐蚀不同型号、不同掺杂剂和不同晶向的重掺单晶样品,研究如何更好地使用无铬腐蚀液显示重掺杂晶体氧化诱生缺陷.实验表明反应过程中温度控制在25～30℃,腐蚀液中适当增加缓冲溶剂,可以很好地控制表面腐蚀速度.实验还发现,对于<100>重掺样品,使用有搅拌的改良Dash无铬溶液显现的损伤缺陷密度低于有铬择优腐蚀液.而对于<111>重掺样品,未见明显差异.最后,探讨了在使用无铬溶液显示重掺Sb晶体缺陷时,缺陷难显现,而且密度低的原因.