集成CMOS温度传感器设计、实现和测试

• 作者: 余宁梅 卫秦啸 曹新亮
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 互补对称金属-氧化物半导体 温度传感器 频率 测试 分析
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 物理类传感器
• 页码范围: 38-42
• 页数: 5页
• 分类号: TN47
• 字数: 2383字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2010.01.009

摘要

基于MOS管的阈值电压和载流子迁移率随温度的变化关系,设计了一种与CMOS工艺兼容的集成温度传感器.该温度传感器选用charted 0.35μm 工艺库,以Cadence进行电路图、版图设计,并以Cadence Spectre工具进行仿真,最后经流片、测试,实测与仿真对比结果显示:温度在25～105℃之间变化时,输出频率的变化范围为10.19～5.81 MHz,且有较好的线性.此传感器对片上系统温度的监测、过热报警和振荡器频率漂移的补偿等均有重要的意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余宁梅	西安理工大学自动化学院	97	476	11.0	15.0
2	曹新亮	西安理工大学自动化学院	79	173	6.0	11.0
6	卫秦啸	西安理工大学自动化学院	1	12	1.0	1.0