宽带GaN单片功率放大器研究

• 作者: 何庆国 冯志红 刘波 王会智 蔡树军 闫锐
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 宽带 单片 放大器 脉冲
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 813-815
• 分类号: TN323.4|TN722.75
• 字数: 984字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.08.019

摘要

基于GaN HEMT器件在微波功率方面的优越性能,设计并实现了宽带GaN单片功率放大器.简述了AlGaN/GaN异质结构的优势以及现状,同时结合热分析的方法给出了所选GaN HEMT器件的基本尺寸和性能,并采用ICCAP提取了合适的大信号模型,通过器件性能优选拓扑结构,最终运用宽带匹配的方法并结合较先进的仿真软件设计了一款GaN宽带单片功率放大器.测试结果表明,单片放大器脉冲工作方式下在2～7 GHz频带内,小信号增益G＞18 dB,输入回损＜-10 dB,脉冲饱和输出功率Po＞5 W,功率增益GP＞15 dB,典型功率附加效率25%(测试条件为脉宽100μs,占空比10%).GaN HEMT器件具有较高的功率密度和良好的宽带特点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡树军		18	62	4.0	7.0
2	冯志红		38	81	5.0	5.0
3	刘波		11	33	4.0	5.0
4	王会智		4	16	3.0	4.0
5	闫锐		3	15	3.0	3.0
6	何庆国		2	5	2.0	2.0