YSZ基片上Tl-2212超导薄膜的制备及其特性的研究

• 作者: 周铁戈 季鲁 方兰 游峰 蒙庆华 谢清连 赵新杰 阎少林
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Tl-2212超导薄膜 YSZ CeO2缓冲层
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 1539-1543
• 分类号: O484.1
• 字数: 3502字
• 语种: 中文

摘要

本文报道了在(001)掺钇氧化锆(YSZ)基片上生长高质量CeO2缓冲层和Tl-2212超导薄膜的制备方法,以及不同厚度的超导薄膜对其特性的影响.XRD和SEM测试表明,在经过合适条件退火的基片和CeO2缓冲层上,所生长的Tl-2212薄膜具有致密的晶体结构、优良的面内和面外取向.最佳样品的临界转变温度(Tc)和临界电流密度为(Jc)可以分别达到107.5 K和 4.24 MA/cm2(77 K,0 T).实验结果表明,采用该工艺所制备的不同厚度Tl-2212超导薄膜的主要指标能满足开发多种超导器件的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周铁戈	南开大学信息技术科学学院	44	100	5.0	7.0
2	赵新杰	南开大学信息技术科学学院	52	116	6.0	7.0
3	方兰	南开大学信息技术科学学院	47	115	6.0	6.0
4	季鲁	南开大学信息技术科学学院	22	38	3.0	5.0
5	游峰	南开大学信息技术科学学院	4	6	2.0	2.0
6	谢清连	南开大学信息技术科学学院	17	44	4.0	6.0
8	蒙庆华	广西师范学院物理与电子工程学院	4	6	1.0	2.0