TiO_2/SiO_2和TiO_2/SiO_xN_y层叠结构高k栅介质比较研究

• 作者: 徐文彬 王德苗
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 栅介质 二氧化钛 层叠介质 射频磁控溅射 高介电常数
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(新型半导体材料)
• 页码范围: 109-112
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3196字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.02.003

摘要

以射频磁控溅射为主要工艺,制备了TiO_2/SiO_2和TiO_2/SiO_xN_y两种层叠结构栅介质.对C-V特性和漏电特性的测试表明,SiO_2和SiO_xN_y等界面层的引入有效地降低了TiO_2栅介质电荷密度及漏电流,而不同层叠结构的影响主要通过界面电学性能的差异体现出来.对漏电特性的进一步分析显示,TiO_2/SiO_2结构中的缺陷体分布和TiO_2/SiO_xN_y结构中的缺陷界面分布是导致电学性能差异的主要原因.综合比较来看,TiO_2/SiO_xN_y结构栅介质在提高MOS栅介质性能方面有更大的优势及更好的前景,有助于拓展TiO_2薄膜在高k栅介质领域的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王德苗	浙江大学信电系	66	789	15.0	24.0
2	徐文彬	集美大学信息工程学院	10	21	3.0	4.0