GaInP薄膜KMC生长并行计算模拟与可视化研究

• 作者: 俞涛 朱文华 胡小梅 胡贵华
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 动力学蒙特卡罗方法 金属有机化学气相沉积 GaInP薄膜形貌 并行计算
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 理论与实践
• 页码范围: 306-311
• 页数: 6页
• 分类号: TP391.9
• 字数: 3880字
• 语种: 中文

摘要

以金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在GaAs衬底上生长GaInP太阳电池薄膜材料为对象,将MOCVD反应室内气体热流场CFD数值模拟的结果作为生长参数,运用动力学蒙特卡罗(KMC)方法对GaInP薄膜生长过程进行了并行计算模拟,给出了数据分布方式和通信优化策略进行负载平衡并降低通信开销,实现了真实沉积条件下基于大规模粒子的薄膜生长仿真,解决_r单机计算能力的不足,缩短了仿真计算时间.模拟结果与试验一致性较好,为优化MOCVD生长GaInP薄膜的工艺参数提供理论依据,对于使用MOCVD生长高质量薄膜材料的太阳电池具有现实意义.